Открытое образование

Физика микроэлектронных структур

Начальный уровень
Наставник: Нет
Сертификат: Есть
Формат: Online
Рассрочка: Нет
Язык: Русский
Осталось мест: не ограничено

2 месяца

Записаться

Вы будете перенаправлены на сайт партнера.

Открытое образование

Физика микроэлектронных структур

Организатор курса: НИЯУ МИФИ

Программа обучения

Модуль1.

Урок 1. Введение.
Материалы микроэлектроники: полупроводники, металлы, диэлектрики, классификация.
Основные определения и понятия: Зонные диаграммы, валентная и зона проводимости, запрещенная зона Электроны и дырки в полупроводниках, акцепторы и доноры.
Принцип электронейтральности.
Тепловая генерация и рекомбинация. Закон действующих масс.
Урок2.
Тепловая и дрейфовая скорость.
Подвижность носителей.
Удельная проводимость. Закон Ома.
Статистика носителей в полупроводниках.
Уровень Ферми.
Вырожденные и невырожденные полупроводники
Урок3.
Диффузионно-дрейфовый ток в полупроводниках.
Соотношение Эйнштейна.
Неоднородные полупроводники и pn-переходы.
Электростатика, барьеры и равновесные концентрации носителей разных типов.
Баланс токов и роль соотношение Эйнштейна в равновесии.
Прямое и обратное смещение.
Рекомбинационный и генерационный ток в pn-переходах и ВАХ диодов.
Урок 4.
Pn-переходы как основной тип контактов в биполярной и МОП технологии.
Общий принцип работы транзисторов.
Биполярные транзистор (БТ): принцип работы, устройство и характеристики.

Модуль 2.

Урок 5.
КМОП инвертор как базовый логический блок цифровой электроники.
КМОП технология как основа современной цифровой электроники.
Урок6.
Основные тенденции и проблемы КМОП технологии (быстродействие, утечки, потребление).
Проблема тепловыделения, роль паразитных емкостей и линий межсоединения.
Урок 7.
МОП структура и ее параметры.
Физические и электрические характеристики.
Урок 8.
Общий принцип работы МОПТ.
Простейшие модели ВАХ.

Модуль 3.

Урок 9.
Режимы работы и ВАХ МОПТ.
Влияние внешних факторов.
Урок10.
Физические эффекты в МОП транзисторах, определяющие функциональные характеристики приборов.
Урок11.
Короткоканальные эффекты.
Насыщение скорости, токи утечки, DIBL и др., использование новых материалов.
Урок 12.
Основные тенденции современной цифровой электроники.
Особенности и конфигурации транзисторов современных цифровых технологий: FD SOI, FinFET.

Модуль 4.

Урок 13.
Физические эффекты на контакте металл-полупроводник. Омические контакты. Барьер Шоттки.
Урок 14.
Классификация полупроводниковых гетероструктур.
Полупроводниковые приборы на гетеропереходах, квантово-размерных эффектах.
Урок 15.
Полупроводниковые светоизлучающие диоды. Принципы работы, структура, характеристики.
Урок 16.
Фотоэлектрические преобразователи на основе полупроводниковых барьерных структур. Принципы работы. Классификация.

Знания и навыки, которые приобретете

Владение навыком расчета физики работы электронных приборов

Тэги