В первом модуле предлагается рассмотрение основ физики полупроводниковых материалов: зонная теория твёрдых тел, статистика свободных носителей заряда, принципы легирования полупроводников, а также процессы дрейфа и диффузии. Вводятся понятия генерации и рекомбинации, приводится анализ электрических режимов pn-перехода с описанием соответствующих характеристик. Здесь, математическим выкладкам уделено меньше внимания, т.к. акцент в основном ставится на рассмотрении именно физических процессов, происходящих в полупроводниковых приборах. Такого рода подход оправдан тем, что у слушателя данного курса, появляется возможность наиболее оперативного перехода к последующему анализу принципов работы изделий электронной техники.

Второй модуль данного курса ориентирован на вопросы, связанные с рассмотрением принципов работы биполярного транзистора. Вводятся понятия крутизны. Рассматриваются аналитическое и численное представления передаточной характеристики транзистора, а так же методы анализа схем на биполярных транзисторах на примере каскада с общим эмиттером.

Третий модуль посвящён рассмотрению электрофизических свойств структуры металл-окисел-полупроводник, приведены зонные диаграммы материалов соответствующей структуры. Рассмотрены процессы обогащения, обеднения и инверсии поверхности полупроводника под управлением затвора, а так же вводится понятие порогового напряжения. Представлена структура и принцип работы МОП-транзисторов. Кроме того, рассматриваются вопросы, связанные с реализацией логических схем на полевых МОП-транзисторах, приведён анализ последовательных логических схем на основе триггеров.